Quang ph Laser DÙNG PH RAMAN VÀ PH QUANG PHÁT QUANG NGHIÊN CU NH HƯNG CA T L KHÍ OXY VÀ S NHIT ĐI VI MÀNG TIO 2 CH TO BNG PP PHÚN X MAGNETON PHN NG.

Slides:



Advertisements
Similar presentations
R Thân Lá Hoa Qu Ht Cơ quan sinh dưng Cơ quan sinh sn SƠ Đ CÂY CÓ HOA R: là cơ quan sinh dưng ca cây. Vai trò ca r: + Hút nưc và mui khoáng hòa tan +
Advertisements

GV: Nguyễn Thị Thúy Hiền PHÒNG GD&ĐT PHÚ VANG TRƯỜNG THCS PHÚ THƯỢNG.
STRUCTURAL CHANGES STUDIES OF a-Si:H FILMS DEPOSITED BY PECVD UNDER DIFFERENT HYDROGEN DILUTIONS USING VARIOUS EXPERIMENTAL TECHNIQUES Veronika Vavruňková.
Các phương pháp hàn nóng chảy Môn hàn Tàu Thủy Th.s Trần Ngọc Dân
Influence of oxygen content on the 1.54 μm luminescenceof Er-doped amorphous SiO x thin films G.WoraAdeola,H.Rinnert *, M.Vergnat LaboratoiredePhysiquedesMate´riaux.
日 期: 指導老師:林克默、黃文勇 學 生:陳 立 偉 1. Outline 1.Introduction 2.Experimental 3.Result and Discussion 4.Conclusion 2.
High Temperature Oxidation of TiAlN Thin Films for Memory Devices
1 Date: Speaker: G. Magesh Visible light photocatalytic activity of PbSe nanocrystal/TiOx films Reference: C. Wang, K. Kwon, M. L. Odlyzko, B.
Xiukai Li et al., Applied Catalysis A: General 429 (2012) 31
BÀI 3. ĐƯỜNG THẲNG VÀ MẶT PHẲNG SONG SONG SỞ GD&ĐT ĐIỆN BIÊN TRƯỜNG THCS-THPT TẢ SÌN THÀNG BÀI DỰ THI SOẠN GIẢNG E-LEARNING Chương II ĐƯỜNG THẲNG VÀ MẶT.
Rèn luyện nghiệp vụ sư phạm 3
Cathodoluminescence Properties of Silicon Thin Films Crystallized by Electron Beam Exposure P47 Advanced Display Research Center, Kyung Hee University.
Semiconducting  -FeSi 2 Presented by Srujana Aramalla.
Giáo viên thực hiện: Lò Thị Nhung Đơn vị công tác: Trường THCS Búng Lao, huyện Mường Ảng, tỉnh Điện Biên. GIÁO ÁN ĐỊA LÍ 7 Chương II: Môi trường đới ôn.
TRÍCH DẪN & LẬP DANH MỤC TÀI LIỆU TRÍCH DẪN
1 ĐỒNG NAI ĐÁNH GIÁ TÌNH HÌNH VÀ ĐỀ XUẤT ÁP DỤNG HIỆU QUẢ MÔ HÌNH KINH TẾ DƯỢC TẠI BỆNH VIỆN ĐA KHOA ĐỒNG NAI NĂM 2017 Học viên: Nhóm 5 _ PP111.
TRAO ĐỔI KINH NGHIỆM PHƯƠNG PHÁP ÔN LUYỆN & KỸ NĂNG THI TOEIC
V.O. Yukhymchuk, V.M. Dzhagan, V.P. Klad’ko,
Shri Vinayak Industries Supplier of Quartz Powder in India of-quartz-powder-in-india.php Supplier of Quartz.
Strong infrared electroluminescence from black silicon
Gantry Crane Manufacturer Vietnam Nhà s ả n xu ấ t C ầ u C ẩ u Vi ệ t Nam Gantry crane Manufacture
1 BÀI 6 BẤM CÁP VÀ CHIA SẺ DỮ LIỆU MẠNG. 2 Nội Dung  Bấm cáp xoắn đôi đúng chuẩn Phương pháp bấm cáp chuẩn A Phương pháp bấm cáp chuẩn B  Kết nối máy.
Dự án Xây dựng tính nhất quán và minh bạch trong kinh doanh tại VN
X©y dùng vµ b¶o vÖ Chñ quyÒn l·nh thæ, biªn giíi quèc gia
MATRIX – ISOLATION RAMAN SPECTROSCOPY
Trường ĐHKH Tự Nhiên Khoa Vật Lý
BÀI 2. CẤU TẠO VÀ CÁC THIẾT BỊ CỦA MÁY TÍNH ĐIỆN TỬ
Top 10 đáng tin cậy cá cược bóng đá online trang web ở Việt Nam.
Manufacturer of Ramming Mass in India Ho chi Minh Vietnam SVI Web- Phone.
Kính Chào Cô và Các b ạ n thân m ế n !!!!!. HÌNH THỨC CHÍNH THỂ CỦA NHÀ NƯỚC CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM VÀ MỘT SỐ NƯỚC TRÊN THẾ GIỚI. Thuyết trình.
BÀI 5: TẠO TRANG WEB BẰNG PHẦN MỀM KOMPOZER
Ghi chú chung về khóa học
SỬ DỤNG EXCEL ĐỂ TRÍCH KHẤU HAO TSCĐ
© 2007 Thomson South-Western
PHÒNG CHỐNG ĐỊCH TIẾN CÔNG HỎA LỰC BẰNG VŨ KHÍ CÔNG NGHỆ CAO
Khảo sát trạng thái rắn của pin mặt trời TiO2 pha thêm Pb
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ
Những Giá trị và Lợi ích
Dược Thảo Lợi Hại Ra Sao Kính thưa quí bạn, slide show nầy nói về những điều cần lưu ý khi tìm đọc các thông tin về các loại thuốc phụ trợ hoặc bổ sung,
Sự tự tụ tiêu Phạm Văn Tiến Lê Minh Tiến Từ Khánh Long
Ra quyết định kinh doanh
QUYẾT ĐỊNH KINH DOANH Dave Goeller
Giáo viên: Nguyễn Dũng Khoa Công nghệ Thông tin
Phương tiện &Thiết bị tiêu thụ năng lượng
Cấu hình đơn giản cho Router
DI SẢN THẾ GIỚI WORLD HERITAGE CỔ THÀNH HUẾ VIỆT NAM
Ngân hàng Thế giới - Trung tâm Học liệu Huế
Cải Thiện Sức Chống Chịu với Biến Đổi Khí Hậu của Vùng Ven Biển Đông Nam Á (BCR) VẬN DỤNG PHƯƠNG PHÁP SWOT TRONG PHÂN TÍCH VÀ ĐÁNH GIÁ NĂNG LỰC THÍCH ỨNG.
GVHD: TS Lê Vũ Tuấn Hùng HV: Trịnh Thị Quỳnh Như
NỘI DUNG TẬP HUẤN 1-Giới thiệu về 5 modun – dạy học dự án
Ph­¬ng ph¸p d¹y häc ®¹i häc
HỘI NGHỊ KHOA HỌC GÂY MÊ HỒI SỨC TOÀN QUỐC 2016
MICROSTRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF TiO2 THIN FILMS PREPARED BY LOW PRESSURE HOT TARGET REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING J.Domaradzki,
quy hoạch thực nghiệm CHIA SẺ KINH NGHIỆM
GVHD: TS. Lâm Quang Vinh HVTH: Nguyễn Thanh Lâm Nguyễn Quang khải
Giảng viên: TS. Phan Bách Thắng
SEMINAR: MÁY STM (SCANNING TUNNELING MICROSCOPE)
1. Các khái niệm trong PTTK HĐT (tt)
HƯỚNG DẪN TỔ CHỨC, XÂY DỰNG KHU CÁCH LY
Thạc sĩ VÕ THANH VIỆT
Những Điều Thật Căn Bản Về Nguyên Tử, Phóng Xạ Nguyên Tử, Năng Lượng Nguyện Tử. (bản đầy đủ) Kính thưa quí bạn, tôi được một bằng hữu gọi phone hỏi nhiều.
So sánh marketing online & marketing truyền thống
Bµi 14. LµM QUEN VíI PHÇN MÒM T¹O ¶NH §éNG
CH¦¥NG TR×NH KÜ N¡NG MÒM KĨ NĂNG LẮNG NGHE
H×nh häc 9 TIẾT 17: ÔN TẬP CHƯƠNG I GV thùc hiÖn: TẠ QUANG HƯỜNG
phÇn mÒm häc to¸n víi Tookit Math
Trong ®Çm g× ®Ñp b»ng sen L¸ xanh b«ng tr¾ng l¹i chen nhÞ vµng
I II III Sinh hoạt kinh tế Chỉ huy, quyết định Nhà Nước cộng sản I. KHÁI NIỆM.
Phase identification Identification of crystalline substance and crystalline phases in a specimen is achieved by comparing the specimen diffraction spectrum.
TRƯỜNG ĐẠI HỌC NGOẠI THƯƠNG CƠ SỞ II TẠI TP. HỒ CHÍ MINH HỘI NGHỊ KHOA HỌC CƠ SỞ II “BÁO CÁO HOẠT ĐỘNG ĐI THỰC TẾ CỦA GIẢNG VIÊN CSII, NĂM HỌC ”
Presentation transcript:

Quang ph Laser DÙNG PH RAMAN VÀ PH QUANG PHÁT QUANG NGHIÊN CU NH HƯNG CA T L KHÍ OXY VÀ S NHIT ĐI VI MÀNG TIO 2 CH TO BNG PP PHÚN X MAGNETON PHN NG

Quang ph Laser MC ĐÍCH: Nghiên cu s nh hưng ca t l dòng oxy đưa vào trong h phún x trong vic ch to màng Nghiên cu s nh hưng ca nhit đ trong quá trình hình thành cu trúc ca màng

Quang ph Laser GiI THIU: Ch to màng TiOx bng phương pháp phún x magneton trc tip nhit đ phòng vi t l dòng oxy đưa vào khong 3-15% Sau đó đem nhit o C Dùng ph nhiu x tia X, quang phát quang và ph Raman đ nghiên cu tính cht ca màng

Quang ph Laser THÍ NGHIM: Dùng đ p-Si(100), làm sch bi H 2 SO 4 và H 2 O Target Ti tinh khit 99.99%, đưng kính 2in và đưc áp vào ngun DC 100W Đ đưc áp đin th -150V Khong cách gia đ và bia là 100mm Áp sut nn 2.7*10-4 Pa, Áp sut làm vic 2.7*10-4 Pa Thi gian phún x 40 phút Đ dày ca màng t nm

Quang ph Laser Cu trúc màng, thông tin phase (anatase hay rutile) đo bi quang ph k tia X s dng bc x Cu Kα (0.1542nm). Made in Japan Các liên kt đưc đo bi ph Raman. Made in France Ph PL dùng laser He-Cd 325nm 50mW, cách t và CCD ĐO TÍNH CHT MÀNG:

Quang ph Lazer LabRAM HR UV/Vis/NIR + Ar ion CW Laser (514.5nm, 488nm) upto 40mW at sample. + He-Cd CW Laser (325nm) -Auto motor controlled XY mapping stage AnataseRutile

Quang ph Laser Anatase APPLICATION 1- Paints, and Coating, emulsion interior Paints, Enamels 2- Road-Marking Paints 3- Filler, Primers, and undercoat 4- Paper Industry 5- Plastic Industry 6- Rubber Industry 7- Cement Industry. widely used in painting, printing oil paper making Plastic Rubber artificial fiber (si quang nhân to) welding electric (hàn đin) Enamel (tráng men) electric appliances and construction material etc Rutile

GIXRD patterns of titanium oxide lms formed at: 3, 6, 10 and 15 FO2% and post-annealing at 750 °C for 2 min in air RESULTS AND DISCUSSION _ The deposition time was xed at 40 min. _ The crystalline (101) anatase peak denoted as A(101) at 25,3°. _ The (110) rutile peak denoted as R(110) at 27.4° can be easily observed from the TiOx thin lm formed at 3 FO2%. _ The intensity of anatase peaks at 3 FO2% is stronger than rutile peaks. _ As FO2% is higher than 6%, the rutile peaks cannot be detected.

GIXRD patterns of titanium oxide lms formed at: 3 FO2% and post-annealed at RT, 350°C, 550°C, and 750°C for 2 min in air. RESULTS AND DISCUSSION _ TiO x lm annealed at 350°C is still an amorphous lm because of no distinct diffraction peak. _ The mixed crystalline anatase and rutile lms are obtained after 550°C and 750°C annealing. _ The intensity of both anatase and rutile peaks increases with increasing temperature.

Raman spectra of titanium oxide lms formed at 3, 6, 10 and 15 FO2% and post-annealed at 750 °C for 2 min in air. RESULTS AND DISCUSSION _ The lm at 3 FO2% shows several anatase peaks at 396 and 639 cm 1 and rutile peaks at 449 and 612 cm 1. _ The rutile peaks decrease with increasing oxygen ow ratio. _ The intensity of anatase peak decreaseswith increasing oxygen ow ratio due to the reduction of lm thickness.

Raman spectra of titaniumoxide lms at 3 FO2% and post- annealed at RT, 350 °C, 550 °C, and 750 °C for 2 min in air. RESULTS AND DISCUSSION _ The intensity of anatase peaks at 396 and 639 cm 1 and rutile peaks at 449 and 612cm 1 increases with annealing temperature from RT to 750°C, especially for anatase peaks.

PL spectra of titanium oxide lms formed at 3, 6, 10 and 15 FO2% and post-annealed at 750 °C for 2 min in air. RESULTS AND DISCUSSION The relationship between the crystalline structure and PL behaviors of titanium oxides Laser excitation: 325 nm, at the room temperature _ The weak shoulder peak at 650 nm is induced from the laser source. _ An asymmetrical wide FWHM peak in visible region is observed at the 3 FO2% sample.

The Gaussian tted curve of PL spectra of the 3 FO2% lm at 750 °C annealed for 2 min in air. RESULTS AND DISCUSSION _ The wide peak is merged from two different TiO x peaks. _ The curve can be tted into two Gaussian peaks at 486 nm (2,55eV) and 588 nm(2,11eV).

PL spectra of titanium oxide lms at 3 FO2% and post-annealed at RT, 350 °C, 550 °C, and 750 °C for 2 min in air. RESULTS AND DISCUSSION _ Luminescence shift caused by the mixed anatase and rutile phase. _ The intensity of PL peaks increases with annealing temperature because of enhancement of the crystalline phase. _ For the as-deposited and 350 °C annealed samples, the PL signal is very weak due to the poor crystallinity.

The oxygen ow ratios during deposition and post-annealed temperatures result in the evolution of phase formation of the lms CONCLUSION The XRD and Raman results indicate that the 3 FO2% lm is formed of a mixed phase of anatase and rutile, and the specimens of 10 FO2%, and 15 FO2% are the single-phase anatase after 550–750 °C annealing The as-deposited TiOx lms and those annealed at 350 °C are all amorphous because of no distinct diffraction peak. The minimum thermal annealing temperature necessary to stimulate the crystallization of lm is between 350 °C and 550°C.