Silicon On Insulator (SOI) transistor TEG の照射前後の測定 L=0.15 W=300 L=0.30 W=600 L=0.30 W=600 L=0.50 W=1000 L=0.50(um) W=1000
Vg Vd 、 Id Vs Vds Vgs Vds =Vd - Vs Vgs = Vg - Vs Vg の値が変化すると Vs の値も変化してしまう Transistor のパラメー タ
☆測定 半導体パラメータ Tr TEG chip
L=0.15(um),W=300 Low Vt High Vt Low VtHigh Vt PMOS NMOS
L=0.30(um),W=600 Low Vt IOHigh Vt
L=0.50(um),W=1000 Low VtHigh Vt IO
L=0.50(um),W=1000 Low VtIOHigh Vt
back up
gate0 gate3
PMOS gate6 NMOS gate0
NMOS gate6 NMOS gate3
PMOS Low Vt L=0.15(um),W=300(um) nonirrad sample
PMOS Low Vt L=0.30,W=600
PMOS High Vt L=0.15,W=300
PMOS IO L=0.30,W=600
NMOS Low Vt L=0.15(um),W=300(um)
NMOS High Vt L=0.15,W=300
NMOS IO L=0.30,W=600