1. IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

2. Појавом IGBT компонете почетком осамдесетих година сједињене су добре особине биполарних транзистора и MOSFET-ова. Добијене карактеристике омогућиле су израду нових управљачких кола са много већом фреквенцијом рада што је нарочито искоришћено у области енергетске електронике посебно у колима за електронско паљење мотора са унутрашњим сагоревањем.

4. Структура IGBT
Структура IGBT компоненти заснована је на биполарном транзистору и MOSFET-у.
IGBT је снажна компонента која се пре свега користи у енергетској електроници. Одликује га напонско управљање као код MOSFET-а, велика снага коју може преносити и релативно висока фреквенција односно брзина рада гледајући то из угла снажних електронских компоненти, тиристора, снажних биполарних транзистора и FET-ова. Ради се у суштини о хибридној компоненти насталој ''стапањем'' биполарног транзистора и MOSFET-а. Симболи за IGBT приказани су на слици а. Структура је приказана на слици 2.

5. Слика 2. Унутрашња структура

7. Принцип рада
Укључивање IGBT врши се тако што се спој гејт-сорс поларише позитивно VGE > 0 при чему се индукује n-каnал у p-слоју.Искључује се са напоном VGE = 0. Тиристорски ефекат јавља се при веома великим струјама кроз дрејн и тада се IGBT не може нормално искључити довођењем нуле на гејт. У том случају најчешће долази до прегоревања IGBT -а. Улазна отпорност му је велика као код MOSFET-а док су губици у устаљеном стању мали као код биполарног транзистора. Производе се у опсегу за напоне од V и струје од А.

8. Употреба IGBT компоненти најчешћа је код индуктивно-отпорних потрошача који обавезно имају замајну диоду