1. UMC 育成計劃

2. Page 2 計畫宗旨 系統性培育半導體產業研發人才，提供對半導體產業有興趣之 學生從基礎扎根到進階學習的完整培育獎勵計畫。

3. Page 3 育成計劃 Road Map

4. Page 4 育成計劃申請  申請 資格 - ( 一 ) 成大大學部學生 ( 大一 ~ 大四 ) 。 ( 二 ) 電機、化學、化工、材料、物理等科系。 ( 三 ) 願意依照本計畫接受培育發展，且畢業後有意願至聯電任職者。  申請方式 - e-mail 報名 (mail to: jacky_hsu@umc.com) 請至各系所網站最新消息公告區下載報名表與計劃詳細說明  審查 - 本計劃將成立審查委員會，由參與計劃各系及聯電各推派一名代表擔任審查委員所組成。經審 查委員會審查資格與相關資料後，將公佈獲選名單於本活動網頁 ( 另以 e-mail 通知個人 ) 。  預計甄選人數 -50 人 / 學年。  申請時間 - 本學期報名期限 2008/ 6/1~2008/6/30 上學期下學期 育成計畫時程時間 計畫受理申請 下學期末結束前一個月 上學期末結束前一個月 名單資格審核 下學期末結束前 上學期末結束前 獲選名單公佈 暑假期間 寒假期間

5. Page 5 UMC 半導體學程認證  目的 - 使參加計劃學生可由基礎專業半導體技術學程修課，養成基本專業能力。  對象 - 成大大學部學生 ( 限電機、 微電子、化學、化工、材料、物理等科系 ) 。  方式 -  由大一 ~ 大四課程中，挑選半導體相關基礎核心課程作為學程認證課程。此學程係為成大校內正式學程。  每年經由審查委員會定期檢討並修正本學程核心課程 ( 審查委員會由參與計劃各系及聯電各推派一名代表擔任 審查委員所組成 ) 。  學生於畢業前取得規定之認證課程學分，於學期末規定時間內提出認證申請。申請具備文件： 1) 申請書 ( 申請書請由本計劃活動網頁下載 ) 3) 學生證正、反面影本一份 2) 身分證正、反面影本一份 4) 大學四年成績單正本一份  接受認證申請後，審查委員會將進行各項資料查驗，通過查驗者即由成大及聯電共同核發學程認證證書。  為鼓勵同學於每學期修習本學程之核心課程，以學年為評核基準，兩學期核心課程平均成績前 10 名學生可獲 UMC 獎學金 16,000 元 / 學年 ( 學科總平均須達 80 分以上 ) 。  辦理時程 - 上學期下學期 學程認證時程時間 學程認證申請 暑假期間 寒假期間 申請審查 下學期開學前 上學期開學前 學程認證證書頒發 下學期開學初 上學期開學初 獎學金頒發上學期開學初

6. Page 6 課程類別項次核心課程名稱學分 UMC 必 / 選 修定義 開授科系 基礎理論類 1~3 項全部須必修 1 材料科學導論 3 必修電機系 / 材料系 / 工程科學系 2 A~C 三門課選擇一門 A. 電子學 B. 基本電子學 C. 應用電子學 ( 上 )( 下 ) 6 必修電機系 / 物理系 / 化工系 / 材料系 3 A~B 二門課選擇一門 A. 量子物理導論 B. 固態物理 3 必修 電機系 / 材料系 / 物理系 製程技術 / 材料概 論類 1~4 項四選一 1 ＶＬＳＩ概論 3 選修電機系 2 A~C 三門課選擇一門 A. 半導體物理 B. 半導體元件 C. 半導體物理與元件 3 選修電機系 / 物理系 / 化工系 / 材料系 3 半導體材料與製程 3 選修電機系 / 化工系 / 材料系 4 積體電路製造程序 3 選修電機系 / 化工系 薄膜奈米技術類 1~2 項二選一 1 奈米材料概論 3 選修物理系 / 化工系 / 材料系 2 A~B 二門課選擇一門 A. 薄膜工程 B. 薄膜技術 3 選修物理系 / 材料系 品管 / 分析類 1~3 項三選一 1 數值分析 3 選修電機系 / 物理系 / 化工系 / 機械系 / 統計系 / 工程科學系 2 A~B 二門課選擇一門  品質管制  品質實務 3 選修統計系 3 品質管理 3 選修工業資訊管理系  “ 基礎理論類 ” 3 門課程全部為必修課程。  “ 製程技術 / 材料概論類 ” 4 門課程為選修課程，但須選修 1 門 ( 含 ) 以上。  “ 薄膜奈米技術類 ” 2 門課程為選修課程，但須選修 1 門 ( 含 ) 以上。  “ 品管分析類 ” 3 門課程為選修課程，但須選修 1 門 ( 含 ) 以上。 以上共計 6 門課 21 個學分。須完成規定必選修共 21 學分以上者方得申請 UMC 半導體學程認證。 選課時依各學期實際開課公佈資訊為主。

7. Page 7 UMC 奈米世代半導體製程概論 program  目的 - 使參加計劃學生可由進階專業技術課程，發展深度專業能力。  對象 - 參加育成計劃並繼續就讀成大研究所 ( 限電機、 微電子、化學、化工、材料、物理等科系 ) 之同學。  方式 -  為確保參加育成計劃同學養成半導體研發專業知識，碩一上學期時必須選修微電子所開【 UMC 奈 米世代半導體製程概論】課程。  此課程評分標準係依課堂表現 ( 出席率 + 考試成績 + 報告成績 ) 決定是否通過。  通過後授予結業證書。  課程實際內容以各學期選課公佈資訊為主。  辦理時間 : 【 UMC 奈米世代半導體製程概論】課程開課時間為每上學期。 上學期下學期

8. Page 8 UMC 傑出科技人才計劃  目的 - 鼓勵同學從事半導體相關研究，以研究獎助方式提昇研究品質。  對象 - 依育成計劃已完成前兩階段活動之碩士班在學生。  方式 -  凡參加育成計劃學生，完成【 UMC 半導體學程】認證、【 UMC 奈米世代半導體製程概論】課程通過，並 經聯電用人單位甄選獲選者，即必須於碩一下學期參加【 UMC 傑出科技人才計畫】。  獎助金額：可獲研究補助 120,000 元 / 學期，碩士班以最多二年為上限。  參加【 UMC 傑出科技人才計畫】甄選時同學須繳交文件： 1) 申請書 ( 申請書請由本計劃活動網頁下載 ) 4) 大學四年成績單正本一份 2) 學生證正、反面影本一份 5) 研究計劃 3) 身分證正、反面影本一份  參加【 UMC 傑出科技人才計畫】之權利與義務： 1) 須配合聯電甄選面談，每學期結束前並須口頭或書面報告研究進度，作為第二學期是否繼續獎助之參 考。 2) 學生於畢業取得學位後，必須成為聯電之正式員工，若不履行服務契約或中途離職，按服務比例賠償 聯電所資助之經費。 3) 最低服務年限相等於接受聯電補助之年限 ( 領一學期，服務半年 ) 。 4) 進入公司服國防役者，服務年限以役期三年屆滿後另起算，簽約服務年限折半計算。 5) 若因 UMC 無適當職缺，以致學生無法履行服務契約時，此不屬違約行為，學生不需賠償已領取之獎助 金額。

9. Page 9  辦理時間 - 傑出科技人才計劃時程時間 申請參加下學期開學前 審核甄選下學期初 獲選公佈下學期初 研究進度報告 下學期末結束前 上學期末結束前 上學期下學期

10. Page 10 UMC pre-offer 及簽約金  參加育成計劃並依前述各階段完成培訓活動之同學，碩士班畢業後即可直接錄取 UMC 研發職位， 並獲 pre-offer 及簽約金 100,000 元 ( 須簽訂服務合約 2 年 ) 。  男生未役者亦另保障提供研發替代役職位 ( 以聯電所申請研發替代役職缺數額為限 ) 。  辦理時間為下學期末結束前。 上學期下學期

11. Page 11 本學期育成計劃報名期限 : 2008/ 6/1~2008/6/30 請至各系所網站最新消息公告區下載報名表與計劃詳細說明 電洽 UMC 承辦人 :06-5054888 Ext:11663 心動不如馬上行動