1. Prinsipp for transistor i D = (15 V)/(1000 Ω) =15 mA i D = (0 V)/(1000 Ω) = 0 ”load line”

2. JFET (Junction Field Effect Transistor)

5. xx+dx

6. JFET (Junction Field Effect Transistor)

7. Figure 6.7 MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor )

8. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )

9. MOSFET

10. Ulike typer av MOSFET

12. Likevekt Ansamling av hull Deplesjon av hull Ansamling av elektroner V=0 V>0 V<0V>>0

13. Q m = | Q d + Q n | V = V G = V i + Φ s

15. Figure 6.17Figure 6.18 Terskelspenning V T i virkeligheten;  m   s  m <  s

16. V T i virkeligheten; ladninger i gate-oksiden

17. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )

19. Ei∞Ei∞ qΦ(x) = E i ∞ - E i (x)

20. MOSFET

21. V T i virkeligheten Figure 6.20 Influence of materials parameters on threshold voltage. (a) the threshold voltage equation indicating signs of the four contributions. (b) variation of V T with substrate doping for n- channel and p-channel n + poly-SiO 2 -Si devices.

22. V T år 1990 vs 2009 2009 n + poly-SiO 2 -Si devices Al-SiO 2 -Si devices 1990

23. C-V for n-kanale MOS-kapasitanse (~100 Hz) (~10 6 Hz) Figure 6.16: Capacitance-voltage relation for a n-channel (p-substrate) MOS capacitor. The dashed curve for V > V T occurs for high measurement frequencies.

24. y(x)

25. Påvirken av elektriskt felt ( E x og E y ) på kanalmobilitet

26. y(x)

27. Sammenlikning av likning 6:49 og 6:50

29. ’Typical feature size’ vs tid for Si-DRAM (Moore’s lov) Figure 9.3