1. INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor

2. CMOS inverter og DC karakteristikk CMOS inverter:

3. pMOS transistor: nMOS transistor: AVLineærMetning V gsn < V tn V gsn > V tn V inn < V tn V inn > V tn V dsn < V gsn - V tn V dsn > V gsn - V tn V ut < V inn - V tn V ut > V inn - V tn AVLineærMetning V sgp < |V tp| V sgp > |V tp| V inn > V DD +V tp V inn < V DD +V tp V sdp < V dsat V sdp > V dsat V sdp < V sgp - |V tp| V sdp > V sgp - |V tp| -V ut < V tp - V inn -V ut > V tp - V inn V ut > V inn - V tp V ut < V inn - V tp

4. Område A: PÅ, lineær AV

5. Område B: PÅ, lineær PÅ, metning

6. Område C: PÅ, metning

7. Område D: PÅ, metning PÅ, lineær

8. Område E: PÅ, lineær AV

9. Inverter transisjon: I områdene B, C og D er begge transistorene PÅ, slik at det går en strøm mellom spenningsforsyningene.

10. Transistorstørrelser

11. Støymargin Høyeste inngang tolkes som 0. Høyeste utgang defineres som 0. Laveste inngang tolkes som 1. Laveste utgang defineres som 1.

12. Kanalforkortning (kanallengdemodulasjon) Liten V gd (som indirekte gir stor V ds ) betyr at det ikke dannes kanal ved drain siden. En høy drain spenning vil skyve kanalen mot source siden: Den effektive kanallengden vil bli mindre enn nominell (tegnet) lengde: Dette betyr at strømmen vil stige for økende V ds i metning og kan modelleres som:

14. Invertere med statisk last Motstand: Strømkilde:

15. Pseudo nMOS inverter Strømforbruk:

16. Body effekt Modell: der:

17. Pass transistor DC karakteristikk Terskelfall: