Presentation is loading. Please wait.

Presentation is loading. Please wait.

H 2 1 2 < 1. Rekombinasjon via tilstand i bandgapet.

Similar presentations


Presentation on theme: "H 2 1 2 < 1. Rekombinasjon via tilstand i bandgapet."— Presentation transcript:

1 h < 1

2 Rekombinasjon via tilstand i bandgapet

3 Spreading of a ’spike’ of electrons by diffusion t 1 < t 2 < t 3

4 D n (cm 2 /s) D p (cm 2 /s) μ n (cm 2 /Vs) μ p (cm 2 /Vs) Si Ge GaAs Diffusjonskonstanter og mobiliteter ved 300 K i intrinsiske materialer (jfr ’Streetman’ Table 4-1) V

5 Current entering and leaving a volume ΔxA Kontinuitetslikningen!!

6 = p 0 + δp(x) δp(x)

7

8 RIE CFC

9 Deponering av Al via sputtering

10 Deplesjonsone

11 -V0-V0

12

13 +- W Figure 5.15 (a): Minority carrier distributions on the two sides of the transition (depletion) region for a forward-biased junction. The figure provides also definitions of distances x n and x p measured from the transition (depletion) region edges.

14 I = I p + I n = konstant W

15

16 Avalanche (Lavin) gjennombrudd Figure 5.21: Electron-hole pairs generated by impact ionization; (b) a single ionizing collision by an incoming electron and (c) primary, secondary and tertiary collisions. (b)(c)

17 GeSiGaAsGaAsP

18 (Diffusjon) Rekombinasjon & generasjon Jeppson

19 Vakuumnivå Schottky kontakt på n-type halvledere

20 Schottky kontakt på p-type halvledere Vakuumnivå

21 Ohmske kontakter n-type  m <  s p-type  m >  s Figure 5.43

22 Figure 5.42

23

24

25 D n (cm 2 /s) D p (cm 2 /s) μ n (cm 2 /Vs) μ p (cm 2 /Vs) Si Ge GaAs Diffusjonskonstanter og mobiliteter ved 300 K i intrinsiske materialer (jfr ’Streetman’ Table 4-1) V

26


Download ppt "H 2 1 2 < 1. Rekombinasjon via tilstand i bandgapet."

Similar presentations


Ads by Google