Download presentation

Presentation is loading. Please wait.

Published bySilas Cousins Modified over 2 years ago

1
h < 1

2
Rekombinasjon via tilstand i bandgapet

3
Spreading of a ’spike’ of electrons by diffusion t 1 < t 2 < t 3

4
D n (cm 2 /s) D p (cm 2 /s) μ n (cm 2 /Vs) μ p (cm 2 /Vs) Si Ge GaAs Diffusjonskonstanter og mobiliteter ved 300 K i intrinsiske materialer (jfr ’Streetman’ Table 4-1) V

5
Current entering and leaving a volume ΔxA Kontinuitetslikningen!!

6
= p 0 + δp(x) δp(x)

7

8
RIE CFC

9
Deponering av Al via sputtering

10
Deplesjonsone

11
-V0-V0

12

13
+- W Figure 5.15 (a): Minority carrier distributions on the two sides of the transition (depletion) region for a forward-biased junction. The figure provides also definitions of distances x n and x p measured from the transition (depletion) region edges.

14
I = I p + I n = konstant W

15

16
Avalanche (Lavin) gjennombrudd Figure 5.21: Electron-hole pairs generated by impact ionization; (b) a single ionizing collision by an incoming electron and (c) primary, secondary and tertiary collisions. (b)(c)

17
GeSiGaAsGaAsP

18
(Diffusjon) Rekombinasjon & generasjon Jeppson

19
Vakuumnivå Schottky kontakt på n-type halvledere

20
Schottky kontakt på p-type halvledere Vakuumnivå

21
Ohmske kontakter n-type m < s p-type m > s Figure 5.43

22
Figure 5.42

23

24

25
D n (cm 2 /s) D p (cm 2 /s) μ n (cm 2 /Vs) μ p (cm 2 /Vs) Si Ge GaAs Diffusjonskonstanter og mobiliteter ved 300 K i intrinsiske materialer (jfr ’Streetman’ Table 4-1) V

26

Similar presentations

© 2016 SlidePlayer.com Inc.

All rights reserved.

Ads by Google